Compute King (@Compute_King) “SemiAnalysis刚发了一篇文章，拆解了华为Mate 80系列中的麒麟9030，公开分析了SMIC N+” — TopicDigg
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SemiAnalysis刚发了一篇文章，拆解了华为Mate 80系列中的麒麟9030，公开分析了SMIC N+3工艺的真实水平。
这篇分析值得关注的地方，不是标题里的那句：SMIC N+3工艺的金属间距比Intel 18A更小；而是一个更重要的现实：中国半导体并没有追上台积电和Intel，但也远没有被制裁锁死。
一句话表达：SMIC N+3已经超过了TSMC N6级别逻辑密度，但需要付出高于TSMC的工艺复杂度和制造成本；华为目前则正在试图用先进封装和3D堆叠来绕过EUV缺失带来的限制。
1，N+3本质上比TSMC N6略好一点
TSMC N6的密度在~108 MTr/mm²；SMIC N+3制程大概在~113 MTr/mm²。
2，令人震惊的是缩放能力
9030与9020面积几乎一样：约140平方毫米。但华为塞进去更多东西：
🔹 CPU核心从3中核变4中核
🔹 GPU从4 CU变6 CU
🔹 NPU扩大
🔹 Cache增加
全部放进同样面积。SMIC N+3带来了真实的密度提升。
读后感：
SemiAnalysis的结论可以概括为：
🔹 SMIC N+3 ≈ TSMC N6。
🔹 华为麒麟9030 ≈ 2022-2023年旗舰水平。
🔹 中国距离全球最先进工艺仍有明显差距，但出口管制并没有阻止其继续前进。
🔹 下一阶段，华为押注的不是EUV，而是LogicFolding，先进封装和3D系统级集成。
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