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美光科技一夜大涨 19% ，如何看待芯片「万亿俱乐部」已达 8 家而高通、英特尔不在此列？ 为什么没高通、英特尔？因为现在是内存超级周期。 快速科普一遍，内存发展到今天，主要就三类：HDD机械硬盘、NAND闪存（做SSD）、DRAM 内存（包括DDR5和HBM）。 1956年IBM做出第一个硬盘，体积跟两个冰箱差不多大，只能存5MB数据，这就是HDD，断电也不会丢数据的非易失性存储。现在主要用来存AI训练的海量原始数据，因为单位成本最低。 80年代，东芝发明了NAND闪存，闪迪把它做成商用SSD。SSD速度、功耗、体积都碾压HDD，但以前比较贵，现在成了数据中心的中转存储，负责模型训练、数据缓冲、推理缓存等。 DRAM是断电就丢数据的易失性内存，但速度极快，比SSD快1000倍，比HDD快10万倍。现在主流是DDR5，AI专用的是HBM，AI的GPU全靠它，是整个AI系统的核心。 现在的情况是，三类内存全都严重缺货，需求爆炸，产能跟不上需求，这就是前面讲的内存超级周期。 再看市场格局，都是寡头垄断，没几家能玩： • HDD：西部数据、希捷、东芝，市占率4:4:2 • DRAM：SK海力士、三星、美光，市占率4:4:2 • NAND：三星30%、SK海力士20%、美光15%、铠侠与闪迪各15%、长江存储10% 内存是标准品，周期性极强，供不应求就赚大钱，供过于求就亏到哭。现在正处在内存史上最严重的缺货周期，价格一路暴涨。 目前这个超级周期没有结束，供应远远追不上需求。我依然看好美光，但更看好闪迪，它是这轮超级周期真正的黑马。 很多人喜欢讲，已经涨了多少多少了，还能买？ 股票能不能买，不是看过去涨了多少，看的是基本面，看的是未来还有没有上涨逻辑。当然，已经涨得多的，短期风险变大是没错。 5月18日，我说SK海力士还会继续上涨，就是这个道理，股票是看基本面，不是看已经涨了多少。 从5月18日到今天，仅6个交易日，海力士已经涨了22%。 先讲闪迪。 在主流厂商里，只有铠侠和闪迪是只做NAND、不碰DRAM的纯玩家，两家在日本有合资工厂。 去年6月，闪迪市值才60亿美元，当时NAND行业刚走出低谷，2025年第三季度还亏了4300万美元，当时最大的收入来源还是手机。 结果AI数据中心一启动，SSD需求直接爆发，闪迪业绩彻底起飞。 今年一季度NAND闪存价格大涨85%-90%，二季度预计再涨70%。 2026年三季度财报，闪迪营收59.5亿美元，同比增251%，环比增97%；毛利率78.4%，同比大幅提升；非GAAP每股收益23.41美元，净利润36亿美元。要知道，一年前它还在亏。 指引更夸张，2026年四季度，EPS预期中值31.5美元，单季净利润接近50亿美元，超过去年6月的总市值。这就是它股价疯涨的根本原因。 关键是什么？所有大厂都在抛弃NAND，全力扑HBM和DRAM，只有闪迪在死守NAND，NAND的缺货会比DRAM更久、更猛。 内存行业吃过太多周期暴跌的亏，2000年互联网泡沫时，DRAM价格跌80%，SK海力士差点破产，美光也濒临倒闭。所以行业形成两个经验教训： 1. 需求再好，也不能疯狂扩产，避免再次过剩 2. 高毛利产品比较能扛行业周期下行 现在AI的风刮得猛，HBM是毛利最高、最稀缺、最有未来的产品，三星、SK海力士、美光这三只，把所有新产能、新工厂、新投资，几乎全砸向HBM和高端DRAM。这就是趋势。 但重点是，所有新的资本开支，全在HBM和先进DRAM，NAND被彻底冷落了。 目前真正给NAND投钱的，只有闪迪和铠侠在改造工厂，以及美光在新加坡扩产，但要到2028年下半年才会有晶圆产出。 这就造成一个必然结果，NAND的供需失衡会比HBM和DRAM持续更久，可能会持续几年。 而DRAM的缺货至少持续到2028年，只要DRAM缺，NAND只会更缺。因为所有大厂的钱和产能，永远优先给利润更高的DRAM/HBM，只要DRAM还缺，就绝不会把资源分给NAND。 路透社的报道，SK海力士收到科技巨头史无前例的长期订单，甚至愿意出钱资助EUV光刻机，确保DRAM供应。这说明DRAM需求依然疯狂，那么NAND的缺口只会更大。 再说估值问题。因为业绩增长太快，传统估值体系不一定跟得上。从历史规律来看，内存股的股价，通常在滚动营收见顶前几个月才会掉头向下。 这轮周期的缺货程度是历史级别的，NAND持续紧缺，新产能又不到位，闪迪作为全球唯一纯NAND龙头，会持续吃到红利。 风险也有，主要是两个：一是NAND需求放缓，二是AI投资突然降温。还有就是闪迪的股价波动极大，比大盘波动高150%，心脏不好的别碰。 再讲美光。 从行业竞争来讲，最稀缺的跑AI算力的内存HBM，美光已经落后SK海力士一大截。下一代HBM4，SK海力士是第一个量产的，而三星要到2026年才量产，美光的进度比它们都晚。 美光预计2026年三季度，EPS中值19.15美元。如果按最保守的每季度5%的环比增长算，未来四个季度的总EPS大概是82.5美元，对应现在的股价，P/E还不到8倍。 科技巨头还在抢着买内存，逼着厂商签多年合同，甚至直接投资生产线。这些公司是全球最有钱的公司，愿意出高价买任何能拿到的DRAM和NAND。 美光正好站在这个风口上，如果AI基建全速推进，它的业绩还会继续增长。

美光今天爆涨，核心原因之一是UBS把美光的评级估值直接调高到目标价 $1635！ 所以我仔细看了一下UBS今天对美光大幅上调评级的报告原文，核心是估值方法的变化。 UBS此前对美光采用的是SoTP分部加总，按照P/S倍数估值。 它把美光拆成两块：HBM业务和核心DRAM+NAND业务。HBM因为受益AI服务器需求、增长更快，给更高倍数，按照2027年收入约278.9亿美元、6倍P/S估值，对应每股约132美元；核心DRAM+NAND按2027年收入约1,877亿美元、3倍P/S估值，对应每股约405美元。 两部分相加，得到原目标价535美元。这个方法的隐含逻辑是：美光仍是强周期存储公司，只是其中HBM业务更优质，所以分开给不同收入倍数。（图 1） 现在UBS改用整体P/E估值，把目标价从535美元上调到1,625美元。新方法是用约15倍NTM P/E，锚定2029年EPS约117美元，并用约12%的股权成本折现回2028年。 UBS选择2029年EPS，是因为它认为到那时模型已包含一轮温和的存储下行周期，如果美光届时仍能赚超过100美元EPS，就说明这不是单纯周期高点盈利，而是更接近“穿越周期的盈利能力”。（图 2） 估值方法转变的核心原因是LTAs，也就是长期协议。 UBS认为，新一轮增强型LTA不只是锁定出货量，还包括3到5年期限、固定量承诺和部分固定价格机制。它估计2027年行业DDR出货中约20%到30%会被这类协议覆盖，美光约20%，hyperscaler已锁定行业Server DDR5约60%到70%的量。这样一来，美光的收入和利润可见度提高，DDR价格峰谷波动可能被压低约一半。 所以，UBS的判断是：美光不再只是靠存储价格周期上行赚钱的公司，而是因为AI需求和长期锁价锁量协议，盈利稳定性被系统性抬高。 因此估值框架从“分部收入倍数”切换为“整体盈利倍数”。核心变化就是从“HBM单独重估”升级为“美光整体重估”。

爆料者发布的截图显示海盗船正在采用长鑫存储 (#CXMT#) 生产的 #DDR5# 内存芯片，这应该可以降低消费级内存条价格。图片显示这款内存条品牌为海盗船，芯片为 DDR5-6000，制造商为长鑫科技，制造时间为 2026 年 3 月，不过目前这款内存条应该还未上市，网上查不到任何相关信息：

🚨 THE MEMORY CARTEL JUST GOT BREACHED. Corsair, one of the biggest US memory brands, was caught using Chinese chips inside their DDR5 kits. The maker is CXMT. China's biggest memory company. China is doubling memory production this year. Ex-Samsung chip boss says China could crush the 414% RAM spike within 12 months. Samsung, Micron, SK Hynix got greedy chasing AI margins. Now China is ready to undercut everything.

关于存储，和 Codex 搓了两天，最后我自己的结论有两个。 第一，AI 存储未来 2-3 年大概率仍偏紧。 原因很简单：需求更接近软件和 capex 驱动的指数过程，供给却受 wafer starts × bits per wafer × 良率 × 封装 这些物理约束。AI 爆发之后，需求是虚拟产品和算力扩张拉出来的，供给还是一个很重的制造业问题。 第二，这轮存储周期真正该盯的，不只是“谁最高端”，而是谁的利润增速最陡。 市场最容易盯着 HBM，因为逻辑最直白：GPU 出货 × 单 GPU HBM 容量。但如果把视角从“产品档次”切到“利润斜率”，结论会更反直觉。 HBM 需求主要是 GPU 的函数。 服务器 DRAM 是 GPU 数量 × CPU:GPU 比例 × 每服务器内存容量，所以 agentic AI 若把 CPU:GPU 从过去的 1:4/1:8 拉向 1:1，服务器 DRAM 的需求会被显著抬高。 企业级 SSD 更接近 token 结构 的函数，而不只是 token 总量的函数。普通短问答 token 大多停留在 HBM/DRAM，真正会拉动 eSSD 的，是那些“高传导 token”：RAG、长期记忆、KV cache offload、agent 日志、checkpoint、审计留存。随着 agent 增长，这类 token 占比会上升，所以 eSSD 的需求斜率可能比很多人直觉里更陡。 Nearline HDD 则是冷温数据沉淀、保留周期和多模态数据湖的函数。 再看供给。真正重要的不是名义产能，而是可销售有效产能。 HBM 卡在先进 DRAM wafer、TSV/stack、测试和 CoWoS； 服务器 DRAM 卡在 DRAM bit 供给本身还要被 HBM 挤出； 企业级 SSD 就算把认证、客户导入、firmware 这些软墙都拆掉，最后也还是要撞上 wafer starts × NAND bits per wafer 这个更硬的物理天花板。即便企业级 SSD 靠 product mix 往 datacenter 倾斜，供给极限抬到 45%-55%，如果需求按高传导 token 结构去跑，还是大概率追不上。 这也解释了为什么供需缺口未必是 HBM 最大。HBM 的需求最快，但它也是全产业链最优先扩产的产品，供给响应最集中；服务器 DRAM 同时吃到 AI 需求上升和 HBM 挤出两层影响；企业级 SSD 更反直觉，NAND bit 本身未必最紧，但一旦 token 结构向 agent、长上下文、KV offload 倾斜，eSSD 的需求斜率会比总 token 更陡，而供给仍受 NAND 的物理增长速度限制。 产品价格和利润增速也不能混为一谈。高端产品不等于高利润增速。HBM 即使毛利率高，如果涨价幅度有限；而低端或中端产品若因供给被抽走、价格暴涨，利润增速反而可能更猛。最新财报里，SNDK 的 non-GAAP gross margin 已经高于 Micron，这其实很反直觉，也说明这轮里 eSSD/NAND mix + 涨价 + 低基数修复，完全可能把 NAND 厂的单季利润弹性推到比 HBM 更夸张。 如果中国厂商未来更充分承接 consumer SSD / client SSD / DDR4 / 部分 DDR5/LPDDR，全球龙头当然可以把更多资源转去高端产品。短期看这是利多，但中期也可能削弱高端稀缺性，让高端产品的利润增速边际放缓。不过在这个情景下，企业级 SSD、服务器 DRAM、HBM 大概率仍然偏紧，只是紧的程度不同。 以最后排利润增速，不能按“谁做的产品最先进”来排，而要按“谁处在低基数、价格弹性大、且供给转移暂时还没把稀缺性抹平”来排。 如果看短期 1-4 个季度的利润斜率，我更倾向于：Sandisk > Micron > SK hynix > Samsung。 如果看 2-3 年的确定性和持续性：SK hynix ≈ Micron > Samsung > Sandisk 更稳。 HDD 里的 Seagate / Western Digital 仍是 AI 数据沉淀的稳定受益者，但更像慢牛，不是爆发型弹性标的。 一句话总结： 这轮存储周期最容易被低估的，不是 HBM 有多热，而是服务器 DRAM 和企业级 SSD 的利润斜率，可能比市场现在理解的更陡。

长鑫存储的材料与耗材供应链全景 昨天讲了长鑫的设备供应链，今天讲另一半的材料和耗材。这一块的国产化进度比设备端要快一截，但内部分化也更剧烈。长鑫2024年LPDDR系列占主营收入82.74%，材料消耗结构跟Mobile和AI需求节奏强相关。招股书披露2024年六大类原材料采购合计约114.7亿元（主要原材料采购金额121.9亿元），2025年上半年61.45亿元。六大品类结构是化学品37.29%、备件及其他约34.69%、光阻剂12.16%、硅片8.55%、气体5.10%、靶材2.21%。化学品从2022年的27.49%一路升到37.29%，已经超过备件成为第一大头，既来自DDR5迭代后湿法和ALD消耗量放大，也来自产能建设期备件采购前置完成后的镜像效应。按2026年Q1的业绩以及历史数据推测，全年材料采购规模冲到270亿以上是大概率。 一个品类一个品类看。 化学品占了近38%，是国产替代弹性最大的一格。湿电子化学品方面，晶瑞电材向长鑫供应高纯双氧水、硫酸、氨水、异丙醇、盐酸、硝酸、NMP等全品类，年出货量数千吨，核心产品已全面实现国产替代（晶瑞同时也是国内i线光刻胶龙头，见光阻剂段）。格林达是国内半导体显影液隐形冠军，国内唯一实现SEMI G5级TMAH显影液量产，已供应长鑫。江化微是国内湿电子化学品龙头，江阴本部产能9万吨/年，三大基地全部建成后总产能将超30万吨。CMP抛光液方面安集科技是绝对龙头，2024年抛光液营收15.5亿元，国内市占率约70%、全球约10-11%。CMP抛光垫方面鼎龙股份国内市占率超70%，在长江存储供应链中占主导地位，与长存共建联合实验室开展抛光垫底层技术攻关，CMP抛光垫2025年收入10.91亿元同比增长52.34%。ALD/CVD前驱体方面，雅克科技是国产龙头，已进合肥长鑫和长江存储。据产业链消息，安德科铭也值得关注，长鑫科技全资持股的长鑫芯聚2025年10月入股了这家公司，同时它本身就是长鑫的重要材料供应商，2024年自研High-K前驱体批量供货，2025年铜陵基地营收2.39亿元，形成210吨/年高纯前驱体产能，7款产品转量产。产业资本反向绑定材料厂的玩法在前道材料里很罕见，意味着高k前驱体已经被长鑫定性为战略环节亲自拉国产替代。化学品单价指数从2022年的100跌到2025上半年的77.90，过去三年累计跌22%。景气回升直接传导的是采购量而非单价，单价反弹要看上游化工大宗品走势，但量价叠加后化学品这一格的总采购额弹性最大。 备件及其他占近35%，是设备零部件耗材，包括反应腔体、石英件、密封圈、靶材辅件、传输部件等。单价跟着半导体大宗品价格剧烈波动，2024年单价指数升到156.53涨了56%，2025上半年骤降到97.29已经低于2022年水平。国产标的集中在石英件和密封件，菲利华是石英玻璃龙头，半导体级石英玻璃已用于多家头部晶圆厂。新莱应材在密封件和洁净管路国产替代上走得比较深。备件供应商集中度最高，2024年前五大供应商里有三家是备件供应商，合计占比超过19%。 光阻剂占12.16%，是材料端分层最严重的一格。i线光刻胶用于非关键层，晶瑞电材多年国内市占率第一，已批量供货长鑫，国产化率约10%。KrF已经跑通，晶瑞电材批量供合肥长鑫和中芯国际，彤程新材旗下科华微电子是国内唯一为本土8寸和12寸晶圆厂批量供应KrF的企业，上海新阳的KrF也实现批量销售。ArF还在爬坡，南大光电现有ArF光刻胶产能50吨/年，28纳米ArF已小批量供货（2025年销售额突破2千万元），14纳米浸没式良率达99.7%。市场流传的宁波500吨/年扩产项目公司称未实施，需谨慎对待。彤程新材的ArF/ArFi已开始批量供货。鼎龙股份的浸没式ArF获得了客户订单。上海新阳的ArF浸没式光刻胶也已取得销售订单。ArF国产化率从接近零开始破冰，已有少量供货，但离摆脱日本依赖还远。2025年日本对华光刻胶供应配额削减10-15%，年底部分日企暂停供货，倒逼效应明显。光刻胶的天花板跟光刻机一样硬，没有先进光刻机进入国内，先进光刻胶就没有真实的量产验证机会。国产ArF再好，也只能在长鑫这种被限制在DUV阶段的产线上跑。EUV光刻胶目前为零，上海新阳在开发但离量产很远。 硅片占比8.55%，是六大类里2025年下半年加仓最明显的一项。2025上半年占比一度跌到6.27%，全年回升到8.55%，反映下半年长鑫主动加大硅片备货，对应DRAM价格快速上涨之后产能爬坡和战略备库存的双重逻辑。国内主供是沪硅产业，2025年300mm硅片销量641.63万片，存储是其主要应用领域之一。立昂微12英寸硅片覆盖14纳米以上节点存储电路，进入部分存储客户供应链。海外端长鑫还在依赖信越、SUMCO、环球晶圆、Siltronic。对比长江存储已经大幅减少SUMCO采购转向国产，长鑫硅片国产化方向是定的，但完整切换还需要两到三年。 气体这一格要单独看。招股书披露的"气体"采购占5.10%，但有明确注释"气体不含大宗气体耗用"。也就是说5.10%只是工艺特气和电子特气，氮氢氧氩等大宗气体走的是另一条单独的供应通道。这条通道的国产化反而走得最彻底。广钢气体是长鑫最大的电子大宗气体供应商，双方签了15年长期供气协议，覆盖合肥和北京两座基地，2025上半年广钢在长鑫的采购占比40%到45%。15年长协在半导体材料端非常罕见，本身就是国产化已经走通的强信号。工艺特气这边，华特气体的光刻气国内市占率60%，全球四家通过ASML和Gigaphoton双重认证的企业之一。中船特气是国内电子特气第一、全球第九，2002年就突破了三氟化氮的国外垄断。金宏气体补充中端品类。气体单价指数从100跌到62.29，跌幅38%。单价跟上游工业气体成本走，但采购量跟着长鑫投片量走，量的弹性确定性最高。 靶材只占2.21%，但国产替代故事最完整。江丰电子覆盖铝、钛、钽、铜、钨全系列，钽/钛/铝靶已实现5纳米节点量产，部分产品进入3纳米工艺验证。有研新材旗下有研亿金是央企背景的第二供应商，稀土靶材全球市占超85%。这个环节国产化率已经在60%以上，对长鑫扩产的弹性主要体现在订单放量而不是国产突破。 掩模版是跟ArF光刻胶并列的另一个薄弱点。先进节点一套掩模版成本数百万美元，长鑫用的高端掩模版大概率仍由美国Photronics和日本Toppan、DNP供应，国产化率极低。 封测基本实现国产化。深科技旗下沛顿科技是长鑫最大的委外封测供应商，承接其超50%的封测需求，处理17纳米及以下先进制程。长电科技提供DRAM模组封装，通富微电配合开发HBM芯片样品。盛合晶微、华天科技也有布局。 HBM封装材料是新增量。招股书披露的原材料结构主要对应前道晶圆制造，HBM后段封装材料是2026到2027年才放量的新故事，对应长鑫上海HBM后段封装厂2026年底投产。华海诚科的颗粒状环氧塑封料（GMC）已通过客户验证处于送样阶段，芯片级底填胶已完成验证正在量产准备。联瑞新材配套供应HBM封装用GMC所需的球硅和Low α球铝。弹性最大但兑现要等长鑫上海后段厂投产。 招股书提及4F²等新型工艺架构是未来方向，业内公认对应VCAT垂直沟道访问晶体管路径。这意味着2027年以后的G6、G7工艺会带来新的材料需求，垂直沟道和堆叠结构对ALD前驱体、高深宽比刻蚀气体的依赖会进一步加深，雅克科技、安德科铭、华特气体这类公司的长期成长性会被进一步打开。 整体看材料端国产化进度领先设备端一个身位，但各品类差异很大。电子大宗气体（广钢主导超50%）、CMP抛光垫（鼎龙国内超70%）、靶材（江丰国内12寸超70%）已在50%以上。湿电子化学品和工艺特气在30-50%区间。前驱体尤其高k仍在20-30%。光刻胶和掩模版的国产化跟着光刻机天花板走，要等上游设备突破。HBM封装材料是2026到2027年才开始放量的新增量。基本面上可以满足量产需求，但顶层精细化学品和光刻胶仍依赖进口。 设备一次性资本开支属性强，材料是经常性采购。长鑫Q1单季营收508亿，2026年H1指引1100到1200亿，材料采购盘子冲到2026年270亿以上是大概率。这部分订单不需要等扩产完成，每多开一片晶圆就立刻转化成材料厂的收入。对广钢气体、安集科技、鼎龙股份、雅克科技、华特气体、江丰电子、格林达、晶瑞电材、沪硅产业这一批公司，长鑫扩产的传导比设备厂商更快，也更持续。

长鑫存储扩产的设备供应链全景 长鑫现在合肥两座、北京一座，三座12英寸厂。合肥一厂11万片月产能，二厂8万片，北京厂7万片，加起来接近30万片，全部满产。两年涨了三倍，2024年初差不多10万片，2025年底冲到28到30万，2026年目标稳在30万。按晶圆片数算全球DRAM占比已经接近15%，但按销售额算只有3.97%，片数堆上来了，单价还在追赶。 工艺端，G4在16纳米已经量产，DDR5良率从2024年底的80%升到现在的90%区间。G5对应15纳米，2026年底量产。HBM2去年下半年就上了，比外界预期提前两年，主要供华为昇腾910。HBM3的前段晶圆产能主要在合肥和北京现有基地内部腾出来，目标月产6万片，约占30万片总产能的20%。后段的堆叠和封装由上海新建的HBM封测厂承接，2026年底投产。 产能还在继续扩。上海新厂分两期，Phase 1产能10万片，2027年初量产，Phase 2同样10万片，2028年初量产。加上现有的30万片，远期产能目标是奔着50万片以上去的。华为也在建一条10万片规模的产线，专门配合长鑫做昇腾系列所需的HBM3和LPDDR5X，2026年下半年开始全面量产。 IPO募资295亿，DRAM技术升级拿了130亿，量产线升级75亿，前瞻技术研发90亿。多家券商纪要提到其中约200亿会直接变成设备采购订单，叠加2024年712亿的存量Capex节奏，是国产设备厂未来两年最确定的基本盘。 长鑫正在进行的大规模扩产，设备采购需求非常可观。每个品类的国产化进展差异很大。 光刻是最大的对外依赖，国产化率连5%都不到。主力机器是ASML的NXT:1980Di，每小时出275片，覆盖到16纳米节点，目前还能正常采购。被荷兰管制的是NXT:2050i及以上，每小时295片，2023年9月起要许可证，2024年1月起对华许可基本停发。修正一个流传很广的说法，275到295片是1980Di到2050i的代际跳变，不是1980系列内部的迭代。长鑫往15纳米以下走，这道墙绕不开。上海微电子的28/14纳米DUV还在攻关，光刻这一环短期无解。 刻蚀占设备投资25到30%，是国产化最深的核心工艺。北方华创的ICP在长鑫产线上市占超过50%，中微的CCP介质刻蚀机做到50比1以上深宽比，专门用于HBM的TSV深硅通孔。但存储节点100比1深宽比的极端工艺，孔洞必须互相平行规整，任何偏差直接砸良率，Lam和东京电子在这个区间仍然是主力。 薄膜沉积占约25%，品类分得细。PECVD做绝缘层，PVD做金属互连，ALD做电容器的高k介电层。拓荆科技的PECVD已经批量进入长鑫DDR5和LPDDR5产线，北方华创的PVD覆盖铝铜溅射和氮化钛溅射。但DRAM电容器核心的高k ALD设备，应用材料和ASM的位置很难动，拓荆的ALD在验证爬坡中还没有大规模上量。整体看PECVD和PVD的国产化率高一些，ALD最低。 CMP只占设备投资5到7%。华海清科占国产CMP装备销售90%以上份额，12英寸Universal-300已经导入长鑫。新变量是中微4月29日刚过会的收购杭州众硅，6抛光盘架构是国际首创，效率比主流4盘方案高一截。国产CMP从单点供应正式进入双供。 清洗国产化率30到40%，盛美上海的SAPS/TEBO兆声波清洗覆盖FinFET和DRAM的16到19纳米制程。热处理40到50%，北方华创立式氧化炉打头，激光退火端莱普科技两年内国内市占从3%涨到16%，跟长鑫和长存共同开发匹配DRAM工艺的设备。这几个环节已经跑通了。 最薄弱的三个环节是量测检测、涂胶显影和离子注入。量检测国产化率个位数，KLA全球占51到54%，精测电子进了长鑫12英寸产线，中科飞测也在部分环节往里切，但高端光学检测和电子束检测差距仍然明显。涂胶显影国产化率仅4%，东京电子在大陆市占超过90%，芯源微是唯一量产替代，目前只在封装端站住了，前道关键层还进不去。离子注入同样个位数，万业凯世通累计交付40多台。弹性最大的三个环节，也是短期内最动不了的三个环节。 长存三期产线2026年一季度国产设备占比首次过50%，目标100%。长鑫设备国产化率已突破45%，但仍低于长存三期产线的水平。根源在工艺。DRAM的电容刻蚀和光刻精度对先进DUV的依赖远高于3D NAND。NAND可以靠堆层数绕过光刻瓶颈，DRAM要正面硬刚，结构性差异，跟意愿无关。 外部约束在收紧。4月22日美国众议院外交事务委员会投票通过了MATCH法案，路透社称之为"国会史上最大规模的半导体出口管制立法审议"。法案把长鑫、中芯国际、长江存储、华为、华虹一起列入covered facility，禁止ASML的DUV浸没式光刻机对长鑫出口，禁止盟国为既有设备提供维保，要求荷兰和日本在150天内对齐美方规则。主要推手是美光。一旦通过，NXT:1980Di这条最后的灰色通道就堵死了。长鑫本身还没进BIS实体清单，但设备进口其实早就在2022年10月那波18纳米以下DRAM工艺限制的笼子里。 45%的国产化率意味着长鑫在两条腿走路，海外设备保良率，国产设备保供应链安全。MATCH法案的压力反而在加速这个进程。长鑫每往国产设备多切一个百分点，对应的就是北方华创、中微、拓荆、华海清科、盛美这些公司实打实的订单增量。上海新厂分两期共20万片的增量产能，加上现有产线的持续技术升级，未来两到三年国产设备厂面对的是一个确定性极高的需求窗口。 从更长的时间尺度看，长鑫的扩产不只是一家公司的资本开支计划。它每走通一个工艺节点，整条12英寸国产设备平台就多一次被验证、被复用的机会。刻蚀和CMP已经证明了这条路径，薄膜沉积和清洗正在跟进，量测和涂胶显影是下一个要啃的硬骨头。这个验证循环一旦转起来，国产设备的竞争力会以远超线性的速度积累。

Chinese memory makers are accelerating DDR5 development and closing the performance gap with global leaders Samsung, SK Hynix, and Micron. Leading firm CXMT has demonstrated DRAM speeds of 8000 MT/s using 16Gb and 24Gb dies and recently showcased DDR5 memory modules for servers, PCs, and workstations. Another Chinese supplier, Jiahe Jinwei, has entered mass production of 64 GB DDR5 RDIMM modules at 5600 MT/s. Via @wccftech

Interesting... I had previously modeled the DRAM capacity for CPU servers used in Agentic AI as being the same as that of general-purpose servers. However, according to recent industry surveys, CPU-dedicated servers typically use a dual-socket (2-socket) configuration as standard and have significantly higher DRAM requirements. As a result, the DDR5 capacity per server has increased 2 to 4 times compared to general-purpose servers with 1 to 2 sockets.

长鑫IPO业绩炸裂：净利预增2244%，半导体设备要起飞了 我看完直接坐直了。 Q1营收508亿，同比+719%。 净利润330亿，同比+1268%。 归母净利润247亿，同比+1688%。 公司给的H1业绩指引，归母净利润500-570亿， 同比增长2244%到2544%。 兄弟们，这不是增长，这tm简直是核爆。 01）为什么业绩这么猛？两个原因。 第一，DRAM价格涨疯了。 全球算力需求爆发，AI服务器对HBM和DDR5的需求直接把产能吃光。 三星、海力士、美光都在控产保价，DRAM价格从2025年下半年开始一路飙升。 长鑫作为国内唯一能量产DRAM的龙头，吃满了这波涨价红利。 第二，国产替代在加速。 国内手机厂商、服务器厂商、甚至车企，都在拼命导入国产存储芯片。 长鑫的产能爬坡+产品结构优化，正好卡在这个时间点上，产销两旺。 说白了，长鑫踩中了"涨价+放量"的双重风口，业绩不炸才怪。 02）来，算笔账。 H1净利指引500-570亿，全年按最保守的拍法，1500亿净利。给白酒估值20倍，就是3万亿市值。 但兄弟们，以我大A的暴躁性格，长鑫这种核心龙头、国产替代独苗、业绩增速2000%+的标的，新股上来先给你干到50倍、80倍都有可能。 参考中芯国际当年上市的气势，长鑫的估值天花板，不是市盈率能框住的。 恐怖如斯。 03）真正拉爆的是半导体设备和材料 但我要说的重点不是长鑫本身。 长鑫IPO真正拉爆的，是半导体设备和材料。 逻辑链很清楚： DRAM国产化加速 → 长鑫扩产 → 国产设备导入 → 国产材料验证 → 订单释放 长鑫的募资投向已经明牌了：存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM技术升级、前瞻技术研发。全是扩产+升级，全是设备和材料的需求。 个股方面，最核心的是这几个：北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科。但市值都比较大，弹性未必最猛。 拿不准个股的兄弟们，直接上ETF： • 561980 招商半导体设备ETF • 159516 国泰半导体设备ETF • 562590 华夏半导体设备ETF • 159558 易方达半导体设备ETF • 588170 科创半导体ETF 长鑫这份招股书，给我的感觉就两个字：时代。 这不是一家公司的业绩爆发，是整个国产半导体产业链的拐点信号。 DRAM从0到1的突破已经完成了，接下来是从1到10的放量，而放量的背后，是设备和材料的国产化替代。 兄弟们，方向已经明牌了。 长鑫是旗手，设备和材料是主力军。 别纠结估值贵不贵，先想清楚你要不要参与这个时代。 等所有人都看懂了，价格早就飞天了。 最后提醒一句：半导体波动大，心脏不好的别满仓。