qinbafrank (@qinbafrank) “中美能否达成稀土换光刻机的交易？若达成，存储立马就不紧缺了么？怎么看存储未来的拐” — TopicDigg

中美能否达成稀土换光刻机的交易？若达成，存储立马就不紧缺了么？怎么看存储未来的拐点？今天巴伦周刊这篇文章传播很广，核心论点是此次川普访华中美可能达成稀土换光刻机的交易，之后台积电、三星海力士就会失去芯片定价权。果真如此么？这里有几个问题和误区需要聊下 1、中美达成稀土换光刻机的概率有多大？ 我在昨天川普访华前瞻的推文里也聊过，在关键卡脖子环节上相比英伟达芯片中国更想要光刻机等半导体设备，这比巴伦周刊聊的还要早。 昨天也聊到中国对于解封英伟达芯片其实兴趣不大，更想要扶持国产芯片。但关键的半导体设备（DUV、EUV光刻机）和高端EDA软件则是非常紧缺、中国应该是想要这些设备。 但中美能不能达成这样的协议？我对此并无把握，因为即使去年10月中国都管控稀土了，美国也没在关键半导体设备上松口。特别是26年以来美国是进一步收紧了对中国在半导体关键设备的限制。只能说看谈的结果了 2、如果中美真的达成稀土换光刻机的交易，国内存储立马就能放量么？ 其实也不然 中国在先进制程（尤其是EUV/DUV光刻）上确实被卡脖子多年。拿到ASML设备后，国产化加速是大概率事件。中国内存厂商主要是CXMT长鑫存储等国产DRAM玩家，这两年在中低端内存进展很快，也抢占了不少份额。中高端内存上代差还很大。 但也要注意光刻机确实是当前最关键的瓶颈之一，但远不是代差大的唯一原因。 1）光刻机（DUV/EUV）确实是最大硬伤 EUV（极紫外线光刻机）现在国内完全拿不到，三星、SK海力士、美光已在先进DRAM（HBM4）和部分高密度NAND中使用EUV大幅提升密度和良率。 中国厂商（CXMT、YMTC）只能靠DUV + 多重图案化（SAQP等）硬刚，工序复杂、成本高、良率低。 2）先进DUV（如ASML NXT:2000i/2050i系列）：目前还能进口部分，但2026年美国MATCH Act等新法案已针对CXMT、YMTC等直接封堵高端浸没式DUV及其维修/零件。中国正加速用国产SMEE SSA800等替代，但这些设备目前主要适合28nm及以上，做到先进节点仍需多次曝光，效率远低于ASML最新款。 这两者直接后果：CXMT先进DRAM良率约50%（领导者80-90%），YMTC高层数NAND虽在量产，但成本和稳定性受限。这直接导致中高端产品（DDR5/LPDDR5X、HBM3、300+层NAND）竞争力弱。 如果只看这一条，光刻限制确实能解释60%的当前差距——没有它，中国厂商根本无法高效爬坡先进节点。 但是还有其他核心差距，不是光刻机解封瞬间就能解决的 1）专利/IP壁垒：三星、SK海力士、美光在DRAM/NAND核心架构（Xtacking、HBM堆叠等）上有大量专利。中国厂商要么绕路（成本高）、要么受限，无法直接抄最优路径。 2）设备生态不完整：除了ASML光刻，还有Lam Research、Applied Materials、东京电子等美日设备的先进型号也受限。3D NAND垂直堆叠、HBM混合键合需要全套高端工具链。 3）良率与工艺整合：即使设备到位，工艺调试、缺陷控制、材料匹配都需要时间。CXMT/YMTC新线良率爬坡慢是行业公认问题，不只是光刻机的事，还涉及蚀刻、沉积、CMP等全流程配合。 特别是极紫外线光刻机EUV的调试规程更复杂，时间和流程更长。 所以不仅仅缺高端光刻机的原因，还因为专利、设备生态、工艺整合等方面共同造就了国产内存厂商与三星、海力士、美光的差距。 光刻是“卡脖子”，但后面还有“IP/专利、生态、工艺”几道关。这其实就有一个时间差，即使签协议，ASML设备交付、生产线建设、良率爬坡，至少也要1-2年才能形成实质产能。这么看即使中国厂商拿到最先进的半导体设备、基本上28年才能中高端存储上形成产能，这还是克服了IP/专利、生态、工艺等障碍，一切顺利的情况下。 那就不能不说三星、海力士、美光自己的扩产计划了，过去半年存储御三家也开始了积极扩产，这里就包括了三星P4/P5工厂、海力士Yongin工厂？美光Tongluo/ID1等新线，最早2027年下半年到2028年上半年才能形成实质增量。 这意味着，国内存储厂商中高端产能还没完成形成，三星、海力士、美光的扩产产线就开始释放产能了。 3、那么存储未来的拐点怎么看？ 个人的框架就是看需求和供给： 1）什么时间需求放缓？ 现在的情况是随着AI的快速迭代，长上下文、多模态、agent快速普及，对存储的消耗非常大，需求还在高速增长，没看到放缓迹象。 2）什么时间供给放量？ 其实刚才第二部分聊的就是供给放量，现在很明确了三星、海力士、美光扩产的新产线产能释放也得到27年底了。 假如中美能达成稀土换光刻机的协议，中国存储厂商拿到最先进的光刻机，顺利的话也得到28年才能产能落地。 所以至少才明年上半年，存储（特别是高端的HBM、GDDR7/GDDR6x、DDR5，中端的DDR4、高端NAND）的产能还是紧缺的，就看需求的高速增长持续性如何了。而需求现在还在狂飙 未来存储的拐点要么是需求放缓、要么是供给开始放量增加。紧盯着这两点即可