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三星电子工会工人周三批准了上周与管理层达成的一项奖金协议。该协议避免了这家全球最大存储芯片制造商发生罢工，并有望让其存储芯片部门的工人获得六位数的奖金。

韩国市场即将于本周推出首批与芯片巨头三星电子和SK海力士挂钩的单一个股杠杆ETF，提供这两只股票每日两倍的涨跌幅回报。这一举措旨在吸引已将资金投向海外高风险产品的本土散户投资者回流，预计将吸引高达5.3万亿韩元（约35亿美元）的净流入，仅2026年前两个月就有30万名投资者完成了投资此类产品所需的强制性在线培训。尽管韩国监管机构希望借此留住国内资金，但市场普遍担忧此举将加剧已有的集中度风险，并放大市场波动性，因为与这两家公司相关的再平衡交易已被认为是近期导致Kospi指数盘中剧烈波动的因素之一。 来源：Bloomberg

盘点下全球存储板块的股票和etf 存储板块主要分为存储芯片（DRAM/HBM/NAND） + 硬盘 / SSD / 存储设备 + 企业存储软件 / 云存储 等 一、存储芯片的核心个股 1、 $MU 美光科技：全球三大DRAM （内存）之一，同时做 NAND（闪存）、HBM （高带宽内存） 核心业务：DRAM+NAND+HBM ，美正股唯一纯内存大厂 目前市值 1万亿，股价 900美金 另外全球二大的DRAM （内存）公司是： #三星# ，老大，全品类最强，只在韩国股市主板上市，目前市值约1.4万亿美金，直接买三星电子的股票不方便买，可以买贝莱德旗下的etf $EWY ，这只etf重仓了韩国两大存储半导体巨头：#三星电子# 和 #SK海力士# ； #SK海力士# ：全球第二大DRAM 内存厂商、HBM（AI 高带宽内存）全球第一龙头 ，市值破万亿，也是韩国的公司，可以买港股 07709 #南方2x做多海力士# ； 2、闪迪 SanDisk（SNDK） NAND 闪存龙头，SSD / 存储芯片，2026 年从西部数据分拆独立 总市值 2350亿美金 3、西部数据 Western Digital（WDC） HDD 硬盘、NAND/SSD，企业 + 消费级存储 AI 数据中心 SSD 需求强，与闪迪协同 市值 1800亿美金 4、希捷科技 Seagate（STX） 机械硬盘（HDD）龙头，企业级 / 数据中心硬盘为主 AI 冷存储 / 归档需求稳定，现金流好 市值 1890亿美金 5、慧荣科技 Silicon Motion（SIMO） 全球最大独立SSD 主控芯、NAND 控制芯片公司，AI PC / 服务器存储芯片 （不做闪存 ，只做大脑） 客户：三星 SK海力士 美光 铠侠 西数 金士顿 闪迪 等 2026 年 AI PC 爆发，主控芯片需求大增，年内涨幅强劲 市值 98亿美金 动态PE 36.84倍 6、美国网存 NetApp（NTAP） 美国企业级混合云存储+数据管理龙头，标普500的成分股 定位：卖存储系统+软件+云服务 全球企业级全闪存阵列市占第一，混合云存储的龙头 市值 274亿美金 二、存储核心ETF 1、 $DRAM ：纯存储芯片 ETF 上市：2026-04-02，全球首只纯存储芯片 ETF 持仓（9 只，高度集中）： 美光 MU：26.77% SK 海力士：23.75% 三星电子：18.55% 铠侠、闪迪等 2、 $EWY : EWY 韩国MSCIETF-iShares 贝莱德旗下etf指数 EWY 追踪大中型韩国公司，主要持有 SK 海力士 和 三星电子 ； 3、HK 07709 南方两倍做多海力士 是在港股购买 4、A股 513310 中韩芯片 核心持仓：三星电子 sk海力士 寒武纪 海光信息 北方华创 中芯国际 兆易创新 042700 澜起科技 中微公司 5、A股 港美互联LOF 核心持仓： 台积电 英伟达 闪迪 美光 腾讯 谷歌 阿里巴巴 中海油 博通 微软 我的持仓重点： $mu $DRAM $中韩芯片

彭博发布了 2026 年全球最赚钱的 10 家公司预测，其中韩国三星电子、SK 海力士跃居前 4 名。 以营业利润，按美元单位预测为排名 沙特阿美 - 2452 亿 三星电子 - 2204 亿 谷歌母公司 - 1694 亿 SK 海力士 - 1625 亿 苹果 - 1548 亿 微软 - 1534 亿 英伟达 - 1304 亿 亚马逊 - 1036 亿 台积电 - 940 亿 摩根大通 - 903 亿

三星电子实现全球首个“900层 V-NAND”，1000层时代进入倒计时 三星电子已成为全球首家成功实现 900 层级 V-NAND 技术原型的公司，向“1000 层 NAND”时代又迈进一步。在与竞争对手围绕堆叠层数的竞争日益激烈之际，这一成果被认为是三星一次性取得了决定性的技术领先优势。 据半导体行业 25 日消息，三星近期通过“Cell Multi Bonding（CMB，单元多重键合）”技术，将两片 450 层单元晶圆接合为一体，成功实现了集成式 900 层级 V-NAND 系统。 NAND 闪存用于存储数据，是 AI 服务器、智能手机以及数据中心存储设备 SSD 的核心组件。它的原理类似于在公寓楼中不断向上增加楼层：堆叠层数越高，就越能在有限的芯片面积内塞入更大容量，从而存储更多数据，并最大化电力效率。因此，在需要高容量、高效率零部件的 AI 服务器和端侧 AI 市场中，NAND 被视为争夺主导权的关键技术。 在当前量产市场中，SK 海力士凭借 321 层 4D NAND 掌握最高堆叠层数。不过，三星在准备今年量产第 10 代 V-NAND（V10，400 层以上）的同时，也已在研发阶段一举跃升至 900 层级，使其在下一代 NAND 市场中占据有利位置。 对于这项研究成果，三星表示已经“验证了正常的单元工作特性”，强调这不仅仅是理论上的堆叠，而是证明了实际可运行的技术能力。 自 2013 年全球首次实现 3D V-NAND 商业化以来，三星持续推动工艺演进，以突破堆叠极限。过去，三星采用的是“一次性单堆叠”方式，即一次性钻出并堆叠微细孔洞；但随着层数不断提高，晶圆翘曲、对准误差等物理极限开始显现。 在实现 900 层器件的过程中，三星通过采用先进的上部吸盘设计，解决了最大障碍——晶圆翘曲问题。键合过程中产生的对位误差，则通过其专有的“新型 overlay 校正”技术克服。同时，新引入的位线（BL）和字线（WL）结构也带来了显著改善，在降低功耗的同时缩小了芯片面积。 从全球来看，以长江存储（YMTC）为代表的中国企业，正在 300 层级 NAND 量产门槛附近追赶韩国厂商。在政府支持和设备国产化推动下，中国企业正同时推进产能扩张和技术升级。 如果长江存储年内成功量产 300 层以上 NAND，价格竞争可能进一步加剧，并对韩国企业的盈利能力造成压力。因此，三星此次 900 层成果被高度评价为一项中长期战略举措，意在构筑技术壁垒。 一位行业人士表示：“900 层 NAND 技术并不是简单地把 300 层乘以三，而是会改变堆叠工艺范式的技术。”他还补充称：“这向全球客户传递了一个信号：三星仍然是技术领导者，同时也会在一定程度上限制中国企业的产能和价格攻势。”

三星电子近日与工会达成协议，计划未来十年通过“股票+现金”方式向约7.8万名半导体员工发放总额约266亿美元的长期激励，人均价值约34万美元，部分AI芯片核心工程师奖励更高。此次巨额奖金的直接原因，是全球AI算力需求爆发后，HBM高带宽内存、DRAM等AI芯片利润激增，三星半导体业务进入新一轮“AI超级周期”，同时公司也面临SK海力士等竞争对手的人才争夺与工会罢工压力，因此选择用大规模股权激励稳定核心研发团队。此举不仅反映出当前AI芯片产业链利润远超传统科技行业，也意味着全球科技竞争正在从互联网平台重新转向底层算力与半导体制造，高端芯片工程师的战略价值和薪酬水平正在被迅速推高。

总统下场站企业，法院驳回工会请求，这场三星罢工风波，终于延缓了。 因不满一次性 34 万美元的奖金，希望再提高给员工分红比例和数额，要求奖金每年常态化发放的三星工会，原本计划在 5 月 21 日，举行为期 18 天的 4 万人大罢工。 但今天，韩国法院决定站在三星企业一方，要求罢工行动不得影响产量，如果工会不听从命令，将对其处以每天约 1 亿韩元的罚款。 与此同时，韩国总统李在明也发文表示，企业的经营权，也应像劳动权一样受到尊重。并表态，如果三星劳资谈判走向破裂，政府可能考虑行使紧急仲裁权，强行介入。 因为据此前摩根大通预估，三星电子厂作为全球重要的存储芯片制造商，一旦发生罢工，可能进一步加剧全球半导体的供应缩紧，或波及汽车、计算机及智能手机等多个行业。 所以这场罢工，已经由工会与企业之间的对峙，上升到了韩国国运，如今政府和法院，终于下场开始介入了。

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